Антисегнетоелектрики
Антисегнетоеле́ктрики (від анти… і сегнетоелектрики) — діелектрики, які не є сегнетоелектриками, але мають певну специфіку електричних властивостей.
Основна ознака антисегнетоелектриків — наявність структурного фазового переходу, що супроводжується значною аномалією діелектричної проникності.
Температура переходу зазвичай сильно залежить від електричного поля, тому перехід може здійснюватися під час накладання поля, а не внаслідок зміни температури кристала.
Під час переходу в антисегнетоелектрик спостерігається стрибкоподібна зміна поляризації Р при зміні поля Е, загалом залежність Р(Е) має вигляд так званої подвійної петлі гістерезису.
Типовими антисегнетоелектриками є PbZr3, NH4H2PO4, NaNbO3, WO3.
Література
- Зачек І. Р., Левицький Р. Р. Статичні діелектричні, п’єзоелектричні та пружні властивості антисегнетоелектриків NH4H2PO4 і NH4H2AsO4 // Журнал фізичних досліджень. 2014. Т. 18. № 2–3. С. 27031–27037.
- Bain A., Chand P. Ferroelectrics: Principles and Applications. Weinheim : Wiley-VCH, 2017. 328 p.
Автор ВУЕ
Покликання на цю статтю: Антисегнетоелектрики // Велика українська енциклопедія. URL: https://vue.gov.ua/Антисегнетоелектрики (дата звернення: 10.05.2024).
Статус гасла: Оприлюднено
Оприлюднено: 01.07.2022
Важливо!
Ворог не зупиняється у гібридній війні і постійно атакує наш інформаційний простір фейками.
Ми закликаємо послуговуватися інформацією лише з офіційних сторінок органів влади.
Збережіть собі офіційні сторінки Національної поліції України та обласних управлінь поліції, аби оперативно отримувати правдиву інформацію.
Отримуйте інформацію тільки з офіційних сайтів
Офіс Президента України
Верховна Рада України
Кабінет Міністрів України
Служба безпеки України
Міністерство оборони України
Міністерство внутрішніх справ України
