Рашби ефект
Ра́шби ефе́кт — явище значного підсилення поглинання світла на частоті ω дом домішкового центру в кристалах різної природи, коли відповідна цій частоті енергія одного з дискретних електронних станів домішки наближається до такої енергії (частоти ωкр) електронної зони, яка в кристалі характеризується хвильовим вектором k=0.
Явище передбачив 1957 український фізик-теоретик Е. Й. Рашба (народився 1927). При цьому ефект спостерігався в напівпровідникових, молекулярних та антферомагнітних кристалах.
Природа ефекту Рашби полягає в тому, що коли енергія локалізованого в кристалі домішкового стану прямує до енергії названого делокалізованого кристалічного стану, хвильові функції цих станів дедалі «змішуються» між собою таким чином, що квантова вага кристалічного стану починає домінувати, і, як наслідок, на частоті ωдом домішки фактично починає поглинати весь кристал.
При підході домішкового рівня до кристалічної зони радіус домішкового стану настільки зростає, що хвильові функції окремих, далеко розташованих домішок починають перетинатися, тобто їхні стани мають змогу делокалізуватися. У цьому випадку, як показали українські дослідники М. О. Іванов, В. М. Локтєв і Ю. Г. Погорєлов (1981), кристал повністю перебудовує свій спектр, і, попри загальну його (кристалу) невпорядкованість як суцільного середовища, в ньому з’являється нова — домішкова — зона когерентних станів, а лінії попередньо слабкого (домішкового) та сильного (кристалічного) поглинання набувають практично рівної інтенсивності. Таке відбувається навіть за гранично малої концентрації домішок, що на принциповому рівні дає змогу неруйнівним оптичним способом достатньо легко контролювати вміст різних домішок у кристалічних середовищах з точністю, що перевищує точність хімічних методів.
Література
- Броуде В. Л., Рашба Э. И., Шека Е. Ф. Спектроскопия молекулярных эситонов. Москва : Энергоиздат, 1981. 248 с.
- Ivanov M. A., Loktev V. M., Pogorelov Yu. G. Long-Range Impurity States in Magnetic Crystals // Physics Reports. 1987. Vol. 153. № 4–5, Р. 209–330.
- Chu J., Sher A. Device Physics of Narrow Gap Semiconductors. New York; London : Springer, 2010. 506 p.
Автор ВУЕ
Покликання на цю статтю: Рашби ефект // Велика українська енциклопедія. URL: https://vue.gov.ua/Рашби ефект (дата звернення: 29.04.2024).
Статус гасла: Оприлюднено
Оприлюднено: 04.05.2020
Важливо!
Ворог не зупиняється у гібридній війні і постійно атакує наш інформаційний простір фейками.
Ми закликаємо послуговуватися інформацією лише з офіційних сторінок органів влади.
Збережіть собі офіційні сторінки Національної поліції України та обласних управлінь поліції, аби оперативно отримувати правдиву інформацію.
Отримуйте інформацію тільки з офіційних сайтів
Офіс Президента України
Верховна Рада України
Кабінет Міністрів України
Служба безпеки України
Міністерство оборони України
Міністерство внутрішніх справ України
