Браттейн, Волтер Гаузер
Бра́ттейн, Во́лтер Га́узер (англ. Brattain, Walter Houser; 10.02.1902, м. Амой, тепер Сяминь, провінція Фуцзянь, Китай — 13.10.1987, м. Сіетл, штат Вашингтон, США) — фізик, член Національної академії наук США (з 1959), Американської академії мистецтв і наук (з 1956), почесний доктор наук Портлендського університету (з 1952), коледжу Вітмена та Юніон-коледжу (з 1955), Міннесотського університету (з 1957), лауреат Нобелівської премії з фізики (1956).
|
Браттейн, Волтер Гаузер (Brattain, Walter Houser) | |
|---|---|
| Народження | 10.02.1902 |
| Місце народження | Сяминь |
| Смерть | 13.10.1987 |
| Місце смерті | Сіетл |
| Напрями діяльності | фізика і техніка напівпровідників |
Зміст
Життєпис
Народився в сім’ї вчителя, який викладав у приватній школі в південно-східному Китаї. Після повернення родини до штату Вашингтон (США) батько придбав ділянку землі, тваринницьке ранчо та млин і зайнявся фермерством.
Браттейн закінчив коледж Вітмена у м. Волла-Волла (штат Вашингтон), здобув ступінь бакалавра з математики та фізики (1924). Став магістром мистецтв в Орегонському університеті (1926), захистив докторську дисертацію з фізики в Міннесотському університеті (1929).
У рамках докторської програми 1927–1928 працював у Національному бюро стандартів у м. Вашингтоні (округ Колумбія), де допомагав у розробці п’єзоелектричних (див. П'єзоелектрики) стандартів частоти.
Працював як фізик-дослідник у корпорації «Лабораторії Белла» (англ. Bell Laboratories; 1929–1967).
Під час Другої світової війни у відділі військових досліджень при Колумбійському університеті займався застосуванням наукових розробок для магнітного виявлення човнів підводних.
Викладав як запрошений лектор у Гарвардському університеті (восени 1952) та у коледжі Вітмена (1962–1963).
Був членом Інституту Франкліна (з 1952), Американського фізичного товариства, Американської асоціації сприяння розвитку науки, комісії з напівпровідників Міжнародного союзу чистої та прикладної фізики та Консультативного комітету військово-морських досліджень.
Від 1967 викладав у коледжі Вітмена, став ад’юнкт-професором (1972–1976). Після виходу на пенсію залишався у коледжі як консультант.
Хворів на хворобу Альцгеймера, провів останні п’ять років свого життя в будинку престарілих у м. Сіетлі (штат Вашингтон, США), де й помер.
Наукова діяльність
Дослідження присвячені фізиці й техніці напівпровідників. Вивчав поверхневі властивості напівпровідників, напівпровідникові властивості окису міді, оптичні властивості германієвих плівок, залежність провідності від опромінення альфа-частинками, механізм рекомбінації.
Ранні роботи стосувалися термоелектронної емісії та адсорбованих шарів на вольфрамі.
Разом із Дж. Бардіном відкрив у 1948 транзисторний ефект та виготовив перший напівпровідниковий транзистор — кристалічний тріод з точковим контактом. Удосконалив методику введення носіїв у напівпровідники та вимірювань на змінному струмі. У 1954–1955 разом з з Ч. Дж. Б. Гарретом (1925, Велика Британія — 2017, США) вивчав властивості поверхні германію в розчинах електролітів, розробив методи отримання поверхонь p і n-типу.
Отримав низку патентів і написав статті з фізики твердого тіла.
Дослідження Браттейна, присвячені властивостям поверхні твердих тіл (зокрема атомної структури матеріалу на поверхні, що відрізняється від його атомної структури в об’ємі), важливі для польових транзисторів і для сонячних батарей.
Розробки вченого вплинули на розвиток електроніки та напівпровідникової промисловості, а його дослідження поверхонь напівпровідників продовжують впливати на сучасні технології.
Нагороди та визнання
Лауреат Нобелівської премії з фізики (1956) за дослідження напівпровідників і відкриття транзисторного ефекту (разом із Дж. Бардіном та В. Шоклі).
Нагороджений медалями С. Балантайна (1952), Дж. Скотта (1956).
Уведений до Національної зали слави винахідників (1974).
Додатково
Попри те, що Браттейну подобалося життя на ранчо і краса природи, він не любив фермерську працю. За словами вченого, саме через це він і став фізиком.
Учений захоплювався гольфом, рибною ловлею і читанням книг.
Праці
Surface Properties of Semiconductors // New Series. 1957. Vol. 126. № 3265. P. 151–153
Література
- Nobel Prize in Physics Awarded to Transistor Inventors // The Bell System Technical Journal. 1956. Vol. 35. Is. 6. P. 1–4.
- Bardeen J. Walter Houser Brattain 1902–1987 // Biographical Memoirs : in 92 vol. Washington : The National Academies Press, 1994. Vol. 63. P. 69–87. URL: https://www.nasonline.org/publications/biographical-memoirs/memoir-pdfs/brattain-walter-h.pdf
- Храмов Ю. А. История физики. Киев : Феникс, 2006. 1176 с.
- The 100 Most Influential Inventors of All Time / Ed. by R. Curley. New York : Britannica Educational Publishing, 2010. 336 p.
- Айзексон В. Інноватори: Як група хакерів, геніїв та ґіків здійснила цифрову революцію / Пер. з англ. Д. Гломозда. Київ : Наш Формат, 2017. 488 с.
- Walter H. Brattain. Biographical // The Nobel Prize. URL: https://www.nobelprize.org/prizes/physics/1956/brattain/biographical/
Автор ВУЕ
Покликання на цю статтю: Браттейн, Волтер Гаузер // Велика українська енциклопедія. URL: https://vue.gov.ua/Браттейн, Волтер Гаузер (дата звернення: 28.04.2024).
Статус гасла: Оприлюднено
Оприлюднено: 27.02.2024
Важливо!
Ворог не зупиняється у гібридній війні і постійно атакує наш інформаційний простір фейками.
Ми закликаємо послуговуватися інформацією лише з офіційних сторінок органів влади.
Збережіть собі офіційні сторінки Національної поліції України та обласних управлінь поліції, аби оперативно отримувати правдиву інформацію.
Отримуйте інформацію тільки з офіційних сайтів
Офіс Президента України
Верховна Рада України
Кабінет Міністрів України
Служба безпеки України
Міністерство оборони України
Міністерство внутрішніх справ України
Національна поліція України
[Категорія:]]
